Naukowcy pracujący nad pamięcią zastępującą pamięć DRAM, NAND

Tajwańska grupa badawcza zwrócił się do RRAM (Resistive-RAM) jako ostatni możliwy Holy Grail układów pamięci, który może zastąpić pamięć flash DRAM i NAND.

DRAM jest głównym typem pamięci używanym w komputerach od dziesięcioleci i jest ceniony za swoje umiejętność obsługi danych przy dużych prędkościach. Pamięć flash NAND jest nowsza, ale rynek szybko się rozrósł z powodu dużej ilości utworów, zdjęć i innych danych przechowywanych w iPodzie, iPhonie, aparacie cyfrowym i innych produktach.

Naukowcy z publicznie finansowanego Instytutu Badań Technologicznych Tajwanu (ITRI) sądzi, że RRAM jest wystarczająco obiecujący, że może być gotowy na rynek chipów wbudowanych w ciągu najbliższych kilku lat.

"Wciąż jesteśmy na wczesnym etapie rozwoju," powiedział Tsai Ming-jinn, dyrektor ds. badań technologii nanoelektronicznej Podział ITRI.

"W tej chwili nie możemy konkurować z DRAM o niezawodność," dodał.

Większość inicjatyw badawczych opartych na chipie pamięci skupia się na detonowaniu pamięci flash DRAM lub NAND, ponieważ mają one wpływ na tak ogromne rynki. Sam rynek pamięci DRAM w zeszłym roku był wart prawie 24 miliardy dolarów, jak twierdzi badacz rynku iSuppli.

Większość prób pokonania tych dwóch układów pamięci często kończy się niepowodzeniem.

Pamięć zmiany fazy (PRAM), na przykład, jest jednym z rodzajów chipu pamięci, który ITRI planuje zmniejszyć wysiłki badawcze w tym roku.

Pomimo wczesnej obietnicy, ITRI uznał, że PRAM jest trudny do wyprodukowania. Grupa badawcza planuje zakończyć kilka projektów badawczych związanych z PRAM, które zostaną zakończone pod koniec bieżącego roku, ale następnie wycofać je z fazy koncentracji.

Naukowcy często napotykają przeszkody na drodze do opracowania nowej technologii, ale pasek dla wymiany pamięci DRAM lub NAND jest jeszcze wyższy. DRAM został wymyślony przez IBM dekady temu i udoskonalany przez lata przez inne firmy i grupy badawcze. Frytki dominują na komputerach PC ze względu na wysokie prędkości, z którymi radzą sobie z danymi, ale mają one wadę. Po wyłączeniu zasilania układy DRAM zapominają o wszystkich swoich danych.

Pamięć flash NAND różni się tym, że może pomieścić dużą ilość danych, niezależnie od tego, czy urządzenie jest włączone, czy nie, ale działa zbyt wolno, aby zastąpić pamięć DRAM.

Pokonanie tych żetonów na ich technologicznych zaletach to jedna kwestia. Drugą przeszkodą będzie uczynienie nowego chipa znacznie lepszym od DRAM lub NAND, że wymiana chipów ma sens.

To nie będzie łatwe, biorąc pod uwagę, że miliardy dolarów firmy wydały na budowę fabryk DRAM i NAND oraz twórcy komponentów komputerowych PC, aby zapewnić, że ich komponenty, od mikroprocesorów po płyty główne, współpracują z DRAM.

"Bariera wejścia jest bardzo wysoka", powiedział Tsai.

Dlatego ma nadzieję, że RRAM znajdzie wejście do urządzeń elektronicznych na rynku chipów wbudowanych.

Łatwiejszym chipsetom pamięci jest konkurowanie na rynku wbudowanym, gdzie twórcy mikroukładów łączą funkcje kilku układów na jednym, zwanym SoC (System on chip), ponieważ nie ma powodu, zależy tylko od DRAM.

RRAM jest dobry także w przypadku kart inteligentnych i kart SIM używanych w telefonach komórkowych.

Układy są szybkie jak DRAM, ale w przeciwieństwie do DRAM, zachowują dane po wyłączeniu zasilania urządzenia.

Ale ITRI ma długą drogę z RRAM.

Grupa już ma p wyprodukowały prototypowe chipy 1Kbit i z powodzeniem wyprodukowały chipy na 8-calowych waflach, dwa kluczowe kroki na ścieżce rozwoju. Stworzenie chipów o pojemności wystarczającej do pokrycia nawet wbudowanego rynku chipów zajmie wiele lat.

ITRI prowadzi obecnie rozmowy z kilkoma startupami o pracy nad chipami, ale nie są to tajwańskie firmy, co stanowi problem. ITRI ​​jest sponsorowany przez rząd Tajwanu i jest wymagany przez mandat, by najpierw dać lokalnym firmom szansę na partnerstwo w zakresie wszelkich nowych technologii, które opracowuje.

Tsai powiedział, że grupa będzie kontynuować pracę nad chipami, ponieważ rozmawia z różnymi grupy. Chipy nie będą gotowe na rynek od kilku lat.