Naładuj telefon przez 5 godzin w 5 minut od lata 2017 roku

Qualcomm ogłosił wprowadzenie na rynek Snapdragona 835, następcy Snapdragona 821 z zegarem 2, 35 GHz. Wraz z tym firma ogłosiła również nadchodzącą technologię Quick Charge 4, która umożliwi użytkownikom ładowanie urządzeń przez 5 godzin użytkowania w ciągu 5 minut.

Firma koncentruje się na poprawie żywotności baterii, a technologia ładowania, jako że wielu kupujących szuka lepszych baterii i szybszych opcji ładowania podczas zakupu telefonu.

Naładuj swój telefon na 5 godzin w 5 minut

Międzynarodowa firma z USA zaprezentowała również technologię Quick Charge 4 wraz z nowym procesorem, który według firmy zapewni urządzeniu 5 godzin pracy na baterii w 5 minut ładowania.

Nowa technologia ładowania będzie działać o 20% szybciej, z wydajnością o 30% wyższą niż Quick Charge 3. Nie oznacza to, że urządzenie również szybko się nagrzeje, ponieważ nowa technologia będzie działać w niższych temperaturach 5 ° C.

Quick Charge 4 pomoże również naładować 50% baterii w ciągu 15 minut lub mniej.

To zdecydowanie mniejszy odsetek w porównaniu z technologią ładowania OnePlus Dash, która jest na rynku już od kilku miesięcy.

Poniżej znajdują się niektóre funkcje, które Quick Charge 4 przejmuje swoim poprzednikom.

• USB Type-C i USB Power Delivery: starając się zapewnić szybkie ładowanie masom, Qualcomm ujednolicił adaptery Quick Charge 4, aby mógł obsługiwać wiele urządzeń.
• Oszczędzanie baterii: Wdrożone w celu przedłużenia żywotności baterii i ochrony baterii, systemu, kabla i złącza poprzez pomiar prądu i temperatury napięcia.
• Inteligentne negocjowanie optymalnego napięcia (INOV): Jest to algorytm, który pomaga systemowi określić optymalny transfer mocy przy jednoczesnej maksymalizacji wydajności. Pomaga to chronić telefon przed przegrzaniem z powodu skoków napięcia podczas ładowania.
• Podwójne ładowanie: Ta technologia pozwala na szybkie ładowanie dzięki wydajnemu rozpraszaniu ciepła.

Snapdragon stanie się jeszcze bardziej atrakcyjny dzięki chipsetowi 835

Firma nawiązała współpracę z firmą Samsung, aby opracować kolejny flagowy SoC. Snapdragon 835 zostanie zbudowany na węźle 10 nm FinFET firmy Samsung, który zużywa o 40 procent mniej energii, co daje procesorowi ogólną poprawę wydajności o 27% w porównaniu z poprzednikami.

Węzeł FinFET o długości 10 nm pozwoli także na 30% efektywność obszaru dzięki mniejszym rozmiarom w porównaniu z wcześniej używanym węzłem 14 nm.

Mniejszy rozmiar nie przeszkadza w wydajności, a raczej zwalnia więcej miejsca dla twórców chipsetów, aby dodać dodatkowe funkcje lub po prostu uczynić urządzenie cieńszym.

Snapdragon 835 i Quick Charge 4 firmy Qualcomm mają być dostępne pod koniec drugiego kwartału 2017 roku.