Składniki

Intel, Micron Venture rozpoczyna produkcję chipów Flash 34nm

Silicon to System Solutions

Silicon to System Solutions
Anonim

Firma należąca do firmy wspólnie z firmą Intel i producentem pamięci Micron Technology rozpoczął masową produkcję chipów pamięci NAND z wykorzystaniem niewielkiej technologii 34-nanometrowej, oświadczyły w poniedziałek firmy.

Pamięć flash NAND służy do przechowywania utworów, filmów i innych materiałów w iPodach, iPhone'ach i wielu innych urządzeniach inne produkty elektroniki użytkowej.

Spółka joint venture Intel-Micron, IM Flash Technologies, spodziewa się, że do końca tego roku 50 procent chipów w swojej fabryce w Lehi w stanie Utah zostanie wyprodukowanych przy użyciu technologii 34 nm

Nanometr pomiar opisuje rozmiar najmniejszych tranzystorów i innych części, które można wyprodukować na jednym chipie. Istnieje około trzech do sześciu atomów w nanometrze, w zależności od rodzaju atomu i miliard nanometrów na metr.

Producenci chipów, tacy jak Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) i Intel, obecnie masowo produkują chipy z wykorzystaniem technologii jako małe jak 40nm do 45nm. Ogólnie rzecz biorąc, im więcej tranzystorów na chipie i im bliżej siebie, tym szybciej chip może wykonywać zadania.

Oprócz wydajności, firmy starają się, aby chipy były mniejsze i tańsze, ponieważ ludzie chcą coraz mniejszych i tańszych urządzeń.

IM Flash produkuje 32-bajtowe chipy NAND wielkości miniatury z technologią 34nm i oczekuje, że chipy będą używane na małych dyskach półprzewodnikowych (SSD) lub kartach pamięci flash przeznaczonych dla produktów, w tym cyfrowych aparatów fotograficznych, kamer cyfrowych i osobiste odtwarzacze muzyczne.

32-bitowe układy to układy wielopoziomowych komórek (MLC), co oznacza, że ​​mogą obsłużyć więcej przeróbek niż odmiany NAND na pojedynczym poziomie komórek (SLC).

Samsung Electronics, świat największy producent pamięci flash NAND, obecnie modernizuje swoje fabryki chipów, aby korzystać z technologii 42 nm i planuje rozpoczęcie produkcji 30 nm w przyszłym roku.

Firma zaprezentowała wielopoziomowy komórkowy 64-bitowy układ pamięci flash NAND wykonany w technologii 30 nm l rok ast.